三星電子代表在韓國“AI-PIM 研討會”上表示，正按計劃逐步推進eMRAM內(nèi)存的制程升級，目前8nm eMRAM的技術(shù)開發(fā)已基本完成。作為一種新型內(nèi)存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM內(nèi)存一樣不斷刷新數(shù)據(jù)，更為節(jié)能高效；同時MRAM的寫入速度又是NAND的1000倍，支持對寫入速率要求更高的應(yīng)用。
▲ eMRAM 存儲原理
eMRAM 即面向嵌入式領(lǐng)域的 MRAM。三星電子目前具有 28nm eMRAM 的生產(chǎn)能力，已在向智能手表等終端產(chǎn)品供貨。
據(jù)悉，三星電子當時表示計劃在 2024 年量產(chǎn) 14nm eMRAM；2026 年量產(chǎn) 8nm 的 eMRAM；到 2027 年將更進一步，實現(xiàn) 5nm 制程 eMRAM 量產(chǎn)。
目前三星電子已完成 14nm eMRAM 的開發(fā)，8nm eMRAM 開發(fā)也基本完成，仍計劃 2027 年推出 5nm eMRAM。
三星電子認為未來車用領(lǐng)域?qū)?eMRAM 的需求將持續(xù)增長，其產(chǎn)品目前耐溫能力已達 150~160℃，足以滿足汽車行業(yè)對半導體的嚴苛要求。
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